根據(jù)中微公司華南總部及半導體、泛半導體設備研發(fā)生產(chǎn)基地一期環(huán)境影響評價文件等,按照建設項目環(huán)境影響評價審批程序的有關規(guī)定,我局擬對該項目環(huán)境影響評價文件作出審查。為體現(xiàn)公開、公正的原則,強化公眾參與,現(xiàn)將該項目環(huán)境影響評價文件基本情況予以公示,公示期為 ?2026年01月 13日至 ?2026年01月19日(5個工作日),如有意見,請在公示期內來信或來電向我局反映?!?/span>
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聽證告知:依據(jù)《中華人民共和國行政許可法》第四十七條的規(guī)定,自公示之日起五個工作日內建設單位及有關利害關系人可對我局擬作出的決定提出聽證申請。
項目名稱 | 中微公司華南總部及半導體、泛半導體設備研發(fā)生產(chǎn)基地一期 |
建設地點 | 廣東廣州增城區(qū) |
建設單位 | ******有限公司 |
項目概況 | 項目擬選址廣州市增城區(qū)新譽北路和創(chuàng)優(yōu)路交叉口東北側地塊,主要從事半導體設備的生產(chǎn)、研發(fā),僅包括組裝、測試和包裝,整機測試工序均在真空、保壓狀態(tài)下進行,再使用氣槍噴射氦氣進行氣密性檢測,不涉及通入特氣進行反應測試,年產(chǎn)12臺Gen8.6代等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備、3臺蝕刻(Etch)設備,建設3個Gen4.5代等離子增強化學氣相沉積(PECVD)研發(fā)機臺、3個干法蝕刻(DryEtch)研發(fā)機臺、1個原子沉積(ALD)研發(fā)機臺。研發(fā)主要采用設計(含委外定制原料/零部件)、原料質檢、玻璃基片清洗、等離子增強化學氣相沉積(PECVD)工藝功能測試與腔體清洗、膜層性能測試、原子層沉積(TFEALD)工藝功能測試、干法刻蝕(DryEtch)工藝功能測試、設備性能改進升級等工序。項目總投資100000萬元,其中環(huán)保投資730萬元。 |
環(huán)評機構 | ******有限公司 |
主要環(huán)境影響及預防或減輕不良環(huán)境影響的對策和措施 | (一)項目氯氣、氟化物、氮氧化物執(zhí)行《大氣污染物排放限值》(DB44/27-2001)第二時段二級標準;磷烷和硅烷參照執(zhí)行《環(huán)境影響評價技術導則制藥建設項目》(HJ611-2011)附錄C中多介質環(huán)境目標值估算DMEG值和《荷蘭排放導則》(NER)中排放限值的較嚴值;非甲烷總烴、TVOC執(zhí)行《固定污染源揮發(fā)性有機物綜合排放標準》(DB44/2367-2022)表1揮發(fā)性有機物排放限值;氨執(zhí)行《惡臭污染物排放標準》(GB14554-93)表2中35米高排氣筒排放標準值。食堂油煙執(zhí)行《飲食業(yè)油煙排放標準(試行)》(GB18483-2001)表2最高允許排放濃度。廠區(qū)內無組織排放監(jiān)控點NMHIC濃度執(zhí)行《固定污染源揮發(fā)性有機物綜合排放標準》(DB44/2367-2022)中表3廠區(qū)內VOCs無組織排放限值。廠界無組織排放的硫酸霧、氮氧化物、氟化物、氯氣執(zhí)行《大氣污染物排放限值》(DB44/27-2001)表2第二時段無組織排放監(jiān)控濃度限值;氨、硫化氫、臭氣濃度執(zhí)行《惡臭污染物排放標準》(GB14554-93)新、擴、改建設項目惡臭污染物廠界二級標準。 |
公眾參與情況 |